
Корпорация Toshiba объявила о выпуске новой серии флэш-памяти SLC (Single-Level Cell) NAND с плотностью от 512 Мбит до 64 Гбит. Новинки плотностью 16, 32 и 64 Гбит состоят из монолитных 16 Гбит  чипов, изготовленных по 43нм техпроцессу. Разработчикам Toshiba удалось удвоить плотность записи по сравнению с чипами, производимыми по 56нм нормам. Это максимально возможная на сегодняшний день плотность. Новые устройства будут доступны на рынке в первом квартале 2009 года.| 
             Серийный номер 
             | 
            
             Плотность 
             | 
            
             Корпус 
             | 
            
             Page Size 
             | 
            
             Начало поставок 
             | 
        
| 
             TH58NVG6S2EBA20 
             | 
            
             64Gb 
             | 
            
             BGA 
             | 
            
             Large 
            Block 
             | 
            
             2009, 1Q 
             | 
        
| 
             TH58NVG5S2EBA20 
             | 
            
             32Gb 
             | 
            
             BGA 
             | 
            
             2009, 1Q 
             | 
        |
| 
             TC58NVG4S2EBA00 
             | 
            
             16Gb 
             | 
            
             BGA 
             | 
            
             2009, 1Q 
             | 
        |
| 
             TC58NVG3S2ETA00 
             | 
            
             8Gb 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        |
| 
             TC58NVG2S3ETA00 
             | 
            
             4Gb 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        |
| 
             TC58NVG2S3EBAJX 
             | 
            
             BGA 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        ||
| 
             TC58NVG1S3ETA00 
             | 
            
             2Gb 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             2009, 1Q 
             | 
        |
| 
             TC58NVG1S3EBAJX 
             | 
            
             BGA 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        ||
| 
             TC58NVG0S3ETA00 
             | 
            
             1Gb 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             Large 
            Block 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        
| 
             TC58NVG0S3EBAJ5 
             | 
            
             BGA 
             | 
        |||
| 
             TC58DVG02A5TA00 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             Small 
            Block 
             | 
            
             2009, 3Q 
             | 
        |
| 
             TC58DVG02A5BAJ5 
             | 
            
             BGA 
             | 
        |||
| 
             TC58NVM9S3ETA00 
             | 
            
             512Mb 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             Large 
            Block 
             | 
            
             2009, 2Q 
             | 
        
| 
             TC58NVM9S3EBAJW 
             | 
            
             BGA 
             | 
        |||
| 
             TC58DVM92A5TA00 
             | 
            
             TSOP I 
             | 
            
             Small 
            Block 
             | 
            
             2009, 3Q 
             | 
        |
| 
             TC58DVM92A5BAJW 
             | 
            
             BGA 
             | 
        
| 
             Серийный номер 
             | 
            
             TC58NVG4S2EBA00 
             | 
        
| 
             Плотность 
             | 
            
             16Gb 
             | 
        
| 
             Напряжение 
             | 
            
             3.3В 
             | 
        
| 
             Скорость программирования (типовая) 
             | 
            
             400 мкС / страница 
             | 
        
| 
             Скорость стирания (типовая) 
             | 
            
             4 мС/ блок 
             | 
        
| 
             Скорость доступа 
             | 
            
             40 мкС (случайный) 
            25 нС (последовательный)  | 
        
| 
             Размер 
             | 
            
             14мм x 18мм 
             |